[发明专利]SiC单晶、SiC晶锭的制造方法和SiC晶片的制造方法在审
| 申请号： | 201980053250.2 | 申请日： | 2019-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN112639177A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 野口骏介;藤川阳平;鹰羽秀隆 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;李照明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 该SiC单晶，穿过俯视中心并沿着1‑100方向切断的切断面中的原子排列面、和穿过俯视中心并沿着垂直于所述1‑100方向的11‑20方向切断的切断面中的原子排列面，向同一方向弯曲。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 晶片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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