[发明专利]非易失性存储器单元在审

专利信息
申请号: 201980053717.3 申请日: 2019-08-06
公开(公告)号: CN112567542A 公开(公告)日: 2021-03-26
发明(设计)人: 简·泽曼;邹斌;安德烈·米哈伊 申请(专利权)人: IP2IPO创新有限公司
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/10;H01L45/00;G11C11/22;G11C11/16
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 杜娟娟
地址: 英国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 所公开的非易失性存储器单元包括电绝缘的可极化材料的存储层,数据可作为电极化方向记录在该存储层中,该存储层优选为铁电材料,该存储层布置在磁阻挫层和导电电极之间,磁阻挫层优选为锰基反钙钛矿压磁材料。响应于存储层的电极化的变化,磁阻挫层相对于导电电极具有不同的态密度的变化,使得存储层上的电子或自旋隧穿电阻取决于电极化方向。
搜索关键词: 非易失性存储器 单元
【主权项】:
暂无信息
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