[发明专利]非易失性存储器单元在审
申请号: | 201980053717.3 | 申请日: | 2019-08-06 |
公开(公告)号: | CN112567542A | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 简·泽曼;邹斌;安德烈·米哈伊 | 申请(专利权)人: | IP2IPO创新有限公司 |
主分类号: | H01L43/08 | 分类号: | H01L43/08;H01L43/10;H01L45/00;G11C11/22;G11C11/16 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 杜娟娟 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 所公开的非易失性存储器单元包括电绝缘的可极化材料的存储层,数据可作为电极化方向记录在该存储层中,该存储层优选为铁电材料,该存储层布置在磁阻挫层和导电电极之间,磁阻挫层优选为锰基反钙钛矿压磁材料。响应于存储层的电极化的变化,磁阻挫层相对于导电电极具有不同的态密度的变化,使得存储层上的电子或自旋隧穿电阻取决于电极化方向。 | ||
搜索关键词: | 非易失性存储器 单元 | ||
【主权项】:
暂无信息
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