[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980053805.3 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN112585723A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 田久真也;山田忠知;根本拓;森下友尧 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B23K26/53;B24B41/06;C09D201/00;H01L21/301;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王利波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明的课题在于提供尽管利用由固化性树脂层形成的保护膜来保护具备凸块的半导体晶片的凸块颈部，仍能够同时实现该半导体晶片的薄化与该半导体晶片的翘曲的抑制的半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法依次包括下述工序(A)～(E)：(A)在具备凸块的半导体晶片的凸块形成面形成固化性树脂层的工序；(B)使上述固化性树脂层固化而形成保护膜的工序；(C)在上述具备凸块的半导体晶片的上述保护膜的形成面粘贴背磨胶带的工序；(D)在粘贴有上述背磨胶带的状态下，对上述具备凸块的半导体晶片的与上述凸块形成面的相反面进行磨削的工序；(E)从上述磨削后的上述具备凸块的半导体晶片将上述背磨胶带剥离的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于琳得科株式会社，未经琳得科株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980053805.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
