[发明专利]SiC半导体装置在审
| 申请号： | 201980054005.3 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN112640048A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 上野真弥;中野佑纪;春山沙和;川上泰宏;中泽成哉;久津间保德 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;H01L21/329;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/06;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/78;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;张默 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种SiC半导体装置，其包含SiC半导体层和多个改质线，上述SiC半导体层包含SiC单晶、且具有作为元件形成面的第一主面、上述第一主面的相反侧的第二主面、以及连接上述第一主面和上述第二主面的多个侧面，多个上述改质线在上述SiC半导体层的各上述侧面各形成1层、分别沿上述SiC半导体层的上述第一主面的切线方向以带状延伸、且被改质为与上述SiC单晶不同的性质。 | ||
| 搜索关键词： | sic 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
