[发明专利]用于选择性TSV块测试的设备在审
| 申请号： | 201980054919.X | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN112585736A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 井出昭 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/498;H01L23/48;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明的实施例涉及用于测试可例如用于耦合半导体存储器装置的层的硅穿孔TSV的设备及方法。所述TSV及/或所述TSV周围的裸片可需要测试。开关电路可用于将一或多个测试电路选择性地耦合到放大器。所述测试电路可产生和正测试的所述TSV的一或多个参数有关的电压。所述放大器可放大所述电压，所述电压可用于确定所述TSV是否通过由所述开关电路所选择的所述测试电路确定的特定测试。所述开关电路及/或所述测试电路的其它组件可由控制信号控制以确定特定测试的操作。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 选择性 tsv 测试 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
