[发明专利]3D逻辑和存储器的配电网络有效
| 申请号： | 201980055054.9 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN112585752B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 拉尔斯·利布曼;安东·德维利耶;杰弗里·史密斯;坎达巴拉·塔皮利 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H10B10/00 | 分类号： | H10B10/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜;李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括晶体管堆叠，该晶体管堆叠具有堆叠在衬底上方的多个晶体管对。该多个晶体管对中的每个晶体管对包括堆叠在彼此上方的n型晶体管和p型晶体管。该多个晶体管对具有：堆叠在该衬底上方并电耦合到该多个晶体管对的栅极结构的多个栅极电极、以及堆叠在该衬底上方并且电耦合到该多个晶体管对的源极区域和漏极区域的多个源极/漏极(S/D)局部互连。该半导体器件进一步包括在该衬底上方形成的一个或多个导电平面。该一个或多个导电平面被定位成与该晶体管堆叠相邻、跨越该晶体管堆叠的高度并且电耦合到该晶体管堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 逻辑 存储器 配电 网络 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980055054.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：无线电池充电期间的带外通信
- 下一篇：微小RNA-134生物标志物
