[发明专利]制造方解石纳米流体通道在审
| 申请号： | 201980056054.0 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112639619A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 车东奎;穆罕默德·巴德里·阿勒奥泰比;阿里·阿卜杜拉·阿勒-优素福 | 申请（专利权）人： | 沙特阿拉伯石油公司 |
| 主分类号： | G03F7/038 | 分类号： | G03F7/038;G03F7/075;G03F7/32;G03F7/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李博 |
| 地址： | 沙特阿拉*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了用于制造纳米流体器件中的方解石通道的方法。将光致抗蚀剂层涂覆到氮化硅(SiN)衬底的顶表面上。在涂覆光致抗蚀剂层后，用电子束以预定图案扫描光致抗蚀剂层。将扫描的光致抗蚀剂显影，从而以预定图案暴露SiN衬底的顶表面的部分。使用方解石前体气体，利用原子层沉积(ALD)以预定图案沉积方解石。使用溶剂移除光致抗蚀剂层的剩余部分以暴露在SiN衬底的顶表面上以预定图案沉积的方解石，其中沉积的方解石的宽度在50至100纳米(nm)的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方解石 纳米 流体 通道 | ||
【主权项】：
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