[发明专利]氮化物半导体基板的制造方法、氮化物半导体基板和层叠结构体有效
| 申请号： | 201980056303.6 | 申请日： | 2019-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN112601847B | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 吉田丈洋 | 申请（专利权）人： | 赛奥科思有限公司;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明具有如下工序：准备基底基板的工序；第一工序，使具有露出(0001)面的顶面的III族氮化物半导体的单晶在基底基板的主面上直接外延生长，使顶面产生由除了(0001)面之外的倾斜界面构成的多个凹部，使该倾斜界面随着向基底基板的主面的上方去而缓缓扩大，使(0001)面从顶面消失，从而使表面仅由倾斜界面构成的第一层生长；以及第二工序，使III族氮化物半导体的单晶在第一层上外延生长，使倾斜界面消失，使具有经镜面化的表面的第二层生长，在第一工序中，在第一层的表面形成多个谷部和多个顶部，观察与主面垂直的任意截面时，夹着多个谷部之中的1个谷部的多个顶部之中最接近的一对顶部彼此在沿着主面的方向上间隔的平均距离设为超过100μm。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 制造 方法 层叠 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛奥科思有限公司;住友化学株式会社，未经赛奥科思有限公司;住友化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980056303.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
