[发明专利]单晶培育方法有效
| 申请号： | 201980056306.X | 申请日： | 2019-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN112639176B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 星亮二;三原佳祐;菅原孝世;松本克 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;刘言 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单晶培育方法，其为基于直拉法(CZ法)或磁控拉晶法(MCZ法)的单晶培育方法，其包括：将装填在坩埚中的硅原料熔融形成熔融液的第一工序；使所述熔融液部分凝固形成凝固层的第二工序；在所述凝固层与所述熔融液共存的状态下，去除所述熔融液的至少一部分的第三工序；将所述凝固层熔融形成熔融液的第四工序；及由该熔融液培育单晶硅的第五工序。由此能够提供用一台CZ拉晶机进行硅原料的高纯度化和单晶培育、从而培育降低了杂质浓度的单晶的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 培育 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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