[发明专利]双向半导体断路器有效

专利信息
申请号: 201980056357.2 申请日: 2019-08-21
公开(公告)号: CN112602245B 公开(公告)日: 2023-10-20
发明(设计)人: 沈政煜;张寿亨;康圣熙;宋雄侠;薛承基;朴东焄;申东浩 申请(专利权)人: LS电气株式会社;首尔大学校产学协力团
主分类号: H02H7/20 分类号: H02H7/20;H03K17/687
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 崔炳哲
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及双向半导体断路器,本发明实施例的双向半导体断路器,包括:主电路部,连接在电源与负载之间,所述主电路部由第一半导体开关和第二半导体开关串联配置;以及缓冲电路部,其一端连接于所述第一半导体开关的前端,其另一端连接于所述第二半导体开关的后端,从而所述缓冲电路部并联连接于所述第一半导体开关和所述第二半导体开关。此时,所述缓冲电路部包括:第一电路线,由第一电容和第一二极管串联配置;第二电路线,并联连接于所述第一电路线,所述第二电路线由第二电容和第二二极管串联配置;以及第三电路线,其一端连接于所述第一电路线,而其另一端连接于所述第二电路线,所述第三电路线由第一电阻和第二电阻串联配置,从而能够提供一种可应用于双向故障电流的同时满足半导体保护和电流抑制性能的缓冲电路。
搜索关键词: 双向 半导体 断路器
【主权项】:
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