[发明专利]二极管在审
| 申请号： | 201980056661.7 | 申请日： | 2019-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN112640132A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 深作克彦 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;B82Y10/00;H01L29/06;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 二极管11A设置有分层结构20以及设置在分层结构的长度方向上的端部的第一连接部31和第二连接部32。通过在厚度方向上交替层叠具有纳米线结构或纳米片结构的第一结构体21和第二结构体22而形成分层结构20。第一连接部31是第一导电类型；第二连接部32是第二导电类型；还设置控制电极部23，其至少从峰部分跨越到分层结构20的侧表面，并且形成为与第一连接部31和第二连接部32分离；并且第一连接部31和控制电极部23或者第二连接部32和控制电极部23电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 | ||
【主权项】：
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