[发明专利]生长半绝缘碳化硅单晶锭的方法和用于生长碳化硅单晶锭的装置有效
| 申请号： | 201980056925.9 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN112639174B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 崔正宇;金政圭;具甲烈;高上基;张炳圭 | 申请（专利权）人： | 赛尼克公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36;C30B35/00;C30B15/04;C30B15/36;C30B15/14;C30B15/20 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 王卫彬;黄益澍 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方案涉及一种生长半绝缘SiC单晶锭的方法，所述方法包括以下步骤：(1)将涂覆有碳化硅(SiC)和碳基材料的掺杂剂放入包含固定有籽晶的反应容器中；以及(2)在所述籽晶上生长SiC单晶，从而产生高质量的半绝缘SiC单晶锭，其具有均匀的基于厚度的掺杂浓度。另外，另一实施方案涉及一种生长半绝缘碳化硅单晶锭的方法，所述方法包括以下步骤：(a)将包含含碳聚合物树脂、溶剂、掺杂剂和碳化硅(SiC)的组合物置于反应容器中；(b)固化所述组合物；(c)在固定于所述反应容器中的所述籽晶上生长SiC单晶锭，从而产生高质量的半绝缘SiC单晶锭，其具有均匀的基于厚度的掺杂浓度。另外，另一实施方案涉及一种用于生长SiC单晶锭的装置，其中所述装置能够生产高质量的SiC单晶锭，所述高质量的SiC单晶锭包括通过SiC组合物的碳化或石墨化产生的多孔体，因此当SiC单晶锭的直径较大时，仍然具有均匀的基于厚度的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 绝缘 碳化硅 单晶锭 方法 用于 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛尼克公司，未经赛尼克公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980056925.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：组合疫苗
- 下一篇：用于标识选择性剪接事件的方法和装置
