[发明专利]金刚石上半导体衬底、用于制造金刚石上半导体衬底的前体及其制造方法在审
| 申请号： | 201980057085.8 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN112673455A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | M·H·H·库博尔;J·W·波默罗伊;M·J·尤伦;O·A·威廉姆斯 | 申请（专利权）人： | 布里斯托大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 丛洪杰;武悦 |
| 地址： | 英国布*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造用于制造金刚石上半导体衬底110的前体105a的方法100，该方法包括：a)从基础衬底112开始；b)在该基础衬底上形成牺牲载流子层114，该牺牲载流子层包括单晶半导体；c)在该牺牲载流子层上形成单晶成核层116，该单晶成核层用于布置成使金刚石成核生长；以及d)在该单晶成核层上形成器件层118，该器件层包括一个单晶半导体层或多个单晶半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 上半 导体 衬底 用于 制造 及其 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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