[发明专利]半导体元件和半导体设备在审
| 申请号： | 201980057269.4 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112740398A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 冨田知大;平井友洋;冈本晋太郎;江田健太郎;渡辺敬;山口一树;笠原则一;铃木康平 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/04;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 曹正建;陈桂香 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | MOS电容器的电容量增加。半导体元件包括第一半导体区域、绝缘膜、栅电极和第二半导体区域。第一半导体区域布置在半导体基板上，并且在表面上具有凹部。绝缘膜布置成与第一半导体区域的表面相邻。栅电极布置成与绝缘膜相邻，并且与第一半导体区域构成MOS电容器。第二半导体区域在半导体基板上布置成与第一半导体区域相邻，以与第一半导体区域相同的导电类型形成，并且当MOS电容器被充电和放电时向第一半导体区域提供载流子。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 半导体设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
