[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980058033.2 | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN112673479A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;德丸亮;笹川慎也;中山智则 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L27/105;H01L27/108;H01L27/1156;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，其包括第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第一绝缘体、第一绝缘体上的第一导电体、第二氧化物上的第二导电体及第三导电体，其中，第二导电体包括第一区域及第二区域，第三导电体包括第三区域及第四区域，第二区域位于第一区域的上方，第四区域位于第三区域的上方，第二导电体及第三导电体都包含钽及氮，第一区域的相对于钽的氮的原子数比高于第二区域的相对于钽的氮的原子数比，并且，第三区域的相对于钽的氮的原子数比高于第四区域的相对于钽的氮的原子数比。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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