[发明专利]颜色变化程度最小的N型离子存储层，使用其的电致变色器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201980058636.2 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN112703445A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 何嘉智;梅建国 | 申请（专利权）人： | 安比莱特 |
| 主分类号： | G02F1/07 | 分类号： | G02F1/07 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 刘锴;胡彬 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于电致变色器件(ECD)的离子存储层，在ECD器件运行期间颜色变化程度最小(MCC)。在一些实施例中，离子存储层由与p型电致变色(EC)层互补的n型金属氧化物材料组成，EC层例如由p型EC聚合物制成的EC层。在一些实施例中，离子存储层可以通过以下方式被调整为MCC，通过调整离子存储层使其总电荷密度高于相应EC层的总电荷密度，和/或调整离子存储层使其着色效率低于相应EC层的着色效率。本发明公开了用于制备离子存储层的方法，包括用于制备具有低着色效率的高度结构化的金属氧化物的方法。本发明还公开了包含MCC离子存储层的ECD器件。 | ||
| 搜索关键词： | 颜色 变化 程度 最小 离子 存储 使用 变色 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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