[发明专利]非易失性半导体存储装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201980059930.5 | 申请日： | 2019-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN112689894A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 野田光太郎 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L27/105;H01L45/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据实施方式，非易失性半导体存储装置具备：多个第一布线层，在第一方向上延伸，沿着与第一方向交叉的第二方向排列；多个第二布线层，在与第一方向以及第二方向交叉的第三方向上设置于多个第一布线层的上方，在第一方向上排列，在第二方向上延伸；多个第一层叠结构体，在多个第二布线层与多个第一布线层的交叉部分，包含配置于第二布线层与第一布线层之间的存储单元；第二层叠结构体，在第二方向上与多个第一布线层相邻，沿着第二方向排列，与第二布线层相接触；以及绝缘层，设置于多个第一层叠结构体之间以及多个第二层叠结构体之间，第二层叠结构体的杨氏模量比绝缘层的杨氏模量大。提供一种机械强度优异、耐图案短路、因此成品率提高、可靠性高的非易失性半导体存储装置及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
