[发明专利]选择性材料移除在审
| 申请号： | 201980061177.3 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112740372A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 夏铭;D·杨;C-M·许 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/02;H01L21/324;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于移除氮化物的示例性方法可包括使含氟前驱物流动到半导体处理腔室的远程等离子体区域中。方法可进一步包括在远程等离子体区域内形成等离子体以产生含氟前驱物的等离子体流出物以及使等离子体流出物流动到容纳基板的半导体处理器腔室的处理区域中。基板可包括高深宽比特征。基板可进一步包括暴露的氮化物的区域及暴露的氧化物的区域。方法可进一步包括将含氢前驱物提供到处理区域以产生蚀刻剂。可用蚀刻剂移除暴露的氮化物的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 材料 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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