[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置在审
申请号: | 201980061313.9 | 申请日: | 2019-07-23 |
公开(公告)号: | CN112740370A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 尾辻正幸;髙桥弘明;加藤雅彦;藤原直澄;山口佑;佐佐木悠太 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 陈甜甜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的衬底处理方法对正面具有图案的衬底进行处理,且包含:混合干燥辅助物质供给步骤,将混合干燥辅助物质供给至所述衬底的正面,在所述衬底的正面形成所述混合干燥辅助物质的液膜,所述混合干燥辅助物质由作为无极性物质的干燥辅助物质与具有两亲性的溶剂混合所得,且具有比所述干燥辅助物质的凝固点低的凝固点;凝固膜形成步骤,通过使所述混合干燥辅助物质的液膜中包含的所述干燥辅助物质凝固而形成包含所述干燥辅助物质的凝固膜;及去除步骤,使所述凝固膜中包含的所述干燥辅助物质不经过液体状态地变化为气体而将它从所述衬底的正面去除。所述凝固膜形成步骤包含供给液接液步骤,所述供给液接液步骤是使种类与所述干燥辅助物质及所述溶剂不同且为极性物质的供给液接液于所述混合干燥辅助物质的液膜,随着溶入到所述混合干燥辅助物质的所述溶剂从所述混合干燥辅助物质向所述供给液移动而该液膜中的所述干燥辅助物质的浓度上升,从而使所述干燥辅助物质析出,由此形成所述凝固膜。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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