[发明专利]垂直半导体肖特基二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201980061716.3 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN112740422A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 卡斯滕·施密特;格哈德·施皮茨尔施佩格 | 申请（专利权）人： | 拉芳德利责任有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L27/06;H01L21/329;H01L29/417;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 闫红 |
| 地址： | 意大利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种垂直半导体肖特基二极管器件(300；400；500；600；700)，具有：半导体材料的衬底(101)，该衬底具有前表面(101a)和背表面(101b’)；轻掺杂区域(102)，该轻掺杂区域形成在衬底(101)的面向前表面(101a)的表面部分中，该轻掺杂区域具有第一导电类型；第一电极(111)，该第一电极形成在衬底(101)的前表面(101a)上的轻掺杂区域(102)上，以建立肖特基接触；在衬底(101)的背表面(101b’)处的高掺杂区域(140)，该高掺杂区域与轻掺杂区域(102)接触并且具有第一导电类型；以及第二电极(160a)，该第二电极在衬底(101)的背表面(101b’)上与高掺杂区域(140)电接触，以建立欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 半导体 肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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