[发明专利]用于对吸收剂层进行后处理的方法在审
| 申请号： | 201980061972.2 | 申请日： | 2019-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN112703610A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | M·阿尔加辛格;T·达利博尔;J·帕尔姆 | 申请（专利权）人： | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 钟茂建;周学斌 |
| 地址： | 233010 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种用于对吸收剂层进行后处理的方法，所述吸收剂层用于将入射光光电转换成电流，所述方法包括以下步骤：在载体上提供含硫属元素的吸收剂层；在吸收剂层的表面上施加后处理层，其中后处理层包含选自由金属硫属化物、金属硫属化物的氧化合物和金属硫属化物的氢氧化合物组成的组的至少一种后处理材料；其中至少一种后处理材料不是缓冲剂或缓冲剂的组分；将至少一种后处理材料热扩散到吸收剂层中。一种用于生产用于薄膜太阳能电池的生产的层系统的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 吸收剂 进行 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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