[发明专利]附金属膜衬底的分断方法在审
| 申请号： | 201980062177.5 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112740365A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 村上健二;武田真和;田村健太 | 申请（专利权）人： | 三星钻石工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B26F3/00;B28D1/24;B28D5/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本国大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够较好地分断附金属膜衬底的方法。分断附金属膜衬底的方法包括如下：切割工序，通过在规定的分断预定位置对设置有薄膜层的基材的第1主面侧进行切割，而使基材露出；刻划工序，通过刻划所露出的基材而形成划线，从划线起，沿分断预定位置，向基材的内部延展垂直裂纹；第1裂断工序，通过使裂断棒从设置有金属膜的第2主面侧与衬底抵接，而进一步延展垂直裂纹，由此，在分断预定位置将衬底中除金属膜以外的部分分断；以及第2裂断工序，通过使裂断棒从第1主面侧与衬底抵接，而在分断预定位置将金属膜分断。 | ||
| 搜索关键词： | 金属膜 衬底 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
