[发明专利]用于控制半导体晶片温度的方法和设备在审
申请号: | 201980063482.6 | 申请日: | 2019-09-18 |
公开(公告)号: | CN112771354A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 格雷戈尔·埃里奥特;埃里克·汤尼斯;保罗·哈里森;马克·拜里 | 申请(专利权)人: | 美特拉斯有限公司 |
主分类号: | G01G23/00 | 分类号: | G01G23/00;G01G23/48;H01L21/67 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;张静 |
地址: | 英国布*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体晶片质量计量方法包含:通过下述方式控制半导体晶片温度;检测与所述半导体晶片温度相关的信息;以及基于检测到的与所述半导体晶片的温度相关的所述信息来控制所述半导体晶片的冷却或加热;其中控制所述半导体晶片的冷却或加热包含控制所述半导体晶片的所述冷却或加热的持续时间;以及接下来将所述半导体晶片装载至半导体晶片质量计量设备的测量区域上。 | ||
搜索关键词: | 用于 控制 半导体 晶片 温度 方法 设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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