[发明专利]通过合金化和蚀刻铂合金图案化铂在审
| 申请号： | 201980063516.1 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN112753093A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | S·梅耶;H·林克 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L29/43 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 魏利娜 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种在衬底(101)上图案化铂的方法。铂层(103)沉积在衬底上，并且经图案化的光致抗蚀剂层(105)形成在铂层上方，留下铂层的部分暴露区域。铝层(109)沉积在铂层(103)的部分暴露区域上方。合金(111)由来自部分暴露区域的铝和铂形成。铂铝合金(111)被蚀刻掉，留下铂层(103)的剩余部分，以在衬底(101)上形成经图案化的铂层。优选地，在形成经图案化的光致抗蚀剂层(105)之前，在半导体衬底(101)上的铂层(103)上沉积薄硬掩模层(107)。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 合金 蚀刻 图案 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
