[发明专利]通过在直接键合工艺期间捕获污染物并阻止裂纹来增强微电子结构中的键合在审
| 申请号： | 201980064165.6 | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN112771656A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | G·高;J·A·德拉克鲁斯;黄绍武;王量;G·G·小方丹;R·卡特卡尔;C·E·尤佐 | 申请（专利权）人： | 伊文萨思粘合技术公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/18;H01L21/67;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 结构和技术可以通过在键合工艺期间捕获污染物和副产物并阻止裂纹来提供微电子结构中的键合增强。示例键合表面被提供有凹部、凹陷、阱或腔，以捕获键合的小颗粒和气态副产物并阻止裂纹，小颗粒和气态副产物将在被接合的微米级表面之间创建有害的空隙。这样的随机空隙将损害键合的完整性以及被键合互连件的电导率。在示例系统中，键合界面中放置的经预先设计的凹部空间或经预先设计的凹部图案捕获颗粒和气体，从而减少了随机空隙的形成，从而在键合形成时改进并保护键合。可以通过用于确定移动的颗粒在键合波传播期间移动的位置的示例方法，来将凹部空间或凹部图案放置在颗粒在键合表面上聚集的位置。例如，凹部可以以晶片级阶梯状的刻线图案来重复，或者通过对准器或对准工艺来放置。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 直接 工艺 期间 捕获 污染物 阻止 裂纹 增强 微电子 结构 中的 | ||
【主权项】：
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