[发明专利]半导体晶片缺陷检验系统及半导体晶片图像对准的方法有效

专利信息
申请号: 201980065115.X 申请日: 2019-10-15
公开(公告)号: CN112789713B 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: D·道林;T·辛格;B·布拉尔;S·巴塔查里亚;B·曼蒂普利;李胡成;李晓春;S·S·帕克 申请(专利权)人: 科磊股份有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/67;G06T7/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 刘丽楠
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种在半导体晶片缺陷检验系统处执行半导体晶片图像对准的方法。在所述方法中,将半导体晶片装载到所述半导体晶片缺陷检验系统中。针对所述半导体晶片执行预检验对准。在执行所述预检验对准之后,实行第一扫描带以产生所述半导体晶片上的第一区的第一图像。确定所述第一图像中的目标结构相对于已知点的偏移。使用所述偏移针对所述第一图像执行缺陷识别。在实行所述第一扫描带且确定所述偏移之后,实行第二扫描带以产生所述半导体晶片上的第二区的第二图像。在实行所述第二扫描带时,使用所述偏移来执行所述半导体晶片的运行时间对准。
搜索关键词: 半导体 晶片 缺陷 检验 系统 图像 对准 方法
【主权项】:
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