[发明专利]用于增强处理腔室中流动均匀性的装置在审
| 申请号： | 201980065400.1 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112805815A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 乔斯林甘·罗摩林甘;克兰库玛尔·纽拉桑德拉·萨凡迪亚;张富宏;威廉·约翰森 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/687;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 此处提供用于处理基板的方法及装置。在一些实施方式中，用于控制处理腔室中气体流动的遮板包含：封闭壁体，该封闭壁体具有上端及下端，该封闭壁体在该下端处界定该遮板的第一开口且在该上端处界定该遮板的第二开口，其中该第二开口从该第一开口偏移；及顶部壁，该顶部壁设置于该封闭壁体的该上端的一部分顶上，位于该第一开口上方的一位置，以与该封闭壁体的该上端的其余部分一起界定该第二开口，其中该遮板经构造以经由该第一开口使来自该第二开口的气体流动转向。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 增强 处理 腔室中 流动 均匀 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
