[发明专利]用于光纤的卤素掺杂二氧化硅预制件的制造方法有效
| 申请号： | 201980065820.X | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN112805252B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | D·C·布克班德;S·B·道斯;R·M·菲亚克;B·L·哈珀;P·坦登 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | C03B37/014 | 分类号： | C03B37/014;C03B20/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐鑫;项丹 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了卤素掺杂的二氧化硅的制备。制备包括：用高卤素浓度掺杂二氧化硅，以及在具有低的不可渗透性气体分压的气相环境中将经过卤素掺杂的二氧化硅烧结至闭孔状态。难以从经过卤素掺杂的光纤预制件去除不可渗透性气体，并且导致从预制件拉制得到的光纤中的缺陷。烧结环境中的低分压的不可渗透性气体导致低浓度的不可渗透性气体以及致密化的经卤素掺杂的二氧化硅中的低密度的气相空穴。得到具有较少缺陷的预制件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光纤 卤素 掺杂 二氧化硅 预制件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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