[发明专利]三维存储器阵列在审
| 申请号： | 201980065835.6 | 申请日： | 2019-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN112805834A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | A·M·孔蒂;A·雷达埃利;A·皮罗瓦诺 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/11565 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实例三维3D存储器阵列包含：第一多个导电线，其通过绝缘材料彼此分离；第二多个导电线；及多对导电柱，其布置成大体上垂直于所述第一多个导电线和所述第二多个导电线延伸。每个相应对中的所述导电柱耦合到所述第二多个导电线中的同一导电线。在每个相应对中的所述导电柱周围部分地形成存储元件材料。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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