[发明专利]后段工艺集成金属-绝缘体-金属电容器在审
| 申请号： | 201980066125.5 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN112868097A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 陆叶;鲍军静;成海涛;宋超 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 傅远 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种低成本电容器(例如，金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器)被包括在后段工艺层中，以实现有效布线和面积节省。电容器具有第一电极(例如，电容器的第一端子)和第二电极(例如，电容器的第二端子)，第一电极包括导电后段工艺(BEOL)层，第二电极包括氮化物基金属。电容器还具有在第一电极与第二电极之间的蚀刻停止层(例如，电容器的电介质)。 | ||
| 搜索关键词： | 后段 工艺 集成 金属 绝缘体 电容器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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