[发明专利]用于沉积钨薄膜或钼薄膜的方法在审
| 申请号： | 201980066362.1 | 申请日： | 2019-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN112840063A | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | R·小赖特;T·H·鲍姆;B·C·亨德里克斯;S·D·阮;王瀚;P·S·H·陈 | 申请（专利权）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分类号： | C23C16/18 | 分类号： | C23C16/18;C23C16/56;C23C16/455;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李婷 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文描述用于沉积金属薄膜或层到衬底上的气相沉积方法，其中所述金属是钼或钨；所述方法涉及含有所述金属及一或多种含碳配体的有机金属前驱物化合物，并包含沉积由所述前驱物的所述金属形成的金属层到衬底上，随后将氧化剂引入到所述形成的金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
