[发明专利]半导体器件封装结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201980066959.6 申请日: 2019-12-13
公开(公告)号: CN113272948A 公开(公告)日: 2021-08-17
发明(设计)人: 刘琛;张玉明;吕红亮 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L23/06 分类号: H01L23/06
代理公司: 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 代理人: 程大军;栾星明
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种半导体器件封装结构及其制备方法,所述半导体器件封装结构包括由依次叠置的第一SiO2膜、Si3N4膜和第二SiO2膜构成的三层膜,其中第一SiO2膜是通过热氧化法制备的,所述Si3N4膜是通过低压化学气相沉积法制备的,并且第二SiO2膜是通过低温原子层沉积法制备的。
搜索关键词: 半导体器件 封装 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
暂无信息
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