[发明专利]半导体装置、半导体晶片以及电子设备在审
| 申请号： | 201980067176.X | 申请日： | 2019-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN112888952A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 佐藤绘莉;大贯达也;八洼裕人;国武宽司 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00;H03G11/02;H01L21/822;H01L27/04;H01L21/8234;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/786;H03F3/45 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 宋俊寅 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种能够测量微小电流的半导体装置。一种包括运算放大器及二极管元件的半导体装置，电流被输入的第一端子与运算放大器的反相输入端子及二极管元件的输入端子电连接，电压被输出的第二端子与运算放大器的输出端子及二极管元件的输出端子电连接。作为二极管元件，使用在沟道形成区域中包括金属氧化物的二极管连接的晶体管。因为该晶体管的关态电流极低，所以可以在第一端子和第二端子之间流过微小电流。由此，通过从第二端子输出电压，可以根据该电压估计流过到第一端子的微小电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 晶片 以及 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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