[发明专利]光学传感器装置和用于制造光学传感器装置的方法在审
申请号: | 201980068024.1 | 申请日: | 2019-09-27 |
公开(公告)号: | CN113228285A | 公开(公告)日: | 2021-08-06 |
发明(设计)人: | 弗朗兹·莱希纳 | 申请(专利权)人: | AMS国际有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 侯丽英;刘继富 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种光学传感器装置,包括:具有光敏区(11)的半导体本体(10);金属层(20),其布置在光敏区(11)之上并且包括上部金属层(21)和下部金属层(22),其中,上部金属层(21)比下部金属层(22)距光敏区(11)的距离更远。该光学传感器装置还包括:孔径开口(24),其位于光敏区(11)之上的金属层(20)中;以及通孔结构(30),其布置在孔径开口(24)的外部并且将金属层(20)和/或半导体本体(10)相互连接。通孔结构(30)布置为使得平行于光敏区(11)并横穿光敏区(11)与上部金属层(21)之间的孔径开口(24)的任意直线(S)在其相反的两个方向上由通孔结构(30)限定。 | ||
搜索关键词: | 光学 传感器 装置 用于 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于AMS国际有限公司,未经AMS国际有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201980068024.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:作为激酶抑制剂的炔基烟酰胺化合物
- 下一篇:在心脏消融期间控制食道温度
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的