[发明专利]二次电池的充电控制电路及异常检测系统在审
申请号: | 201980068261.8 | 申请日: | 2019-10-15 |
公开(公告)号: | CN112868127A | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 上妻宗广;池田隆之;松嵜隆德;高桥圭;三上真弓;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01M10/60 | 分类号: | H01M10/60;B60L58/24;H01M10/44;H01M10/48;H01M10/613;H01M10/615;H01M10/633;H01M10/637;H02J7/00;H02J7/10 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 宋俊寅 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 通过二次电池的异常检测系统检测二次电池的异常,例如早期检测降低二次电池的安全性的现象,向使用者发出警告或者停止二次电池的使用,来确保安全性。二次电池的异常检测系统根据温度传感器所取得的温度信息检测二次电池的温度是否为能够进行正常工作的温度范围内。在二次电池的温度高时,通过二次电池的异常检测系统的控制信号驱动冷却装置。二次电池的异常检测系统至少包括存储单元,并且存储单元具有保持模拟信号的功能且包括作为半导体层使用氧化物半导体的晶体管。 | ||
搜索关键词: | 二次 电池 充电 控制电路 异常 检测 系统 | ||
【主权项】:
暂无信息
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