[发明专利]用于降低响应于衬底体电阻率变动的沉积或蚀刻速率变化的RF功率补偿在审
| 申请号： | 201980068370.X | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN112868084A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 罗伟易;洪延姬;钟伟武;希曼舒·乔克斯 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种衬底处理系统包含等离子体产生器，其被设置成将(射频)RF功率供应至配置在处理室中的电极。传感器被设置成感测供应至所述电极的所述RF功率的参数。控制器被设置成通过以下操作对由于配置在衬底支撑件上的衬底的体电阻率的变动而产生的等离子体处理的速率的变动进行补偿：使所述传感器在所述衬底的等离子体处理之前和在开始所述衬底的所述等离子体处理后的预定时段之后中的至少一者感测所述参数；以及在所述衬底的所述等离子体处理的过程中，基于针对所述衬底所感测的所述参数来针对所述衬底调节所述RF功率的所述参数。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 降低 响应 衬底 电阻率 变动 沉积 蚀刻 速率 变化 rf 功率 补偿 | ||
【主权项】：
暂无信息
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