[发明专利]级联自举GaN功率开关和驱动器在审
| 申请号： | 201980069312.9 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN113196662A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 李剑锋;R·阿南思;M·查普曼;迈克尔·A·德·鲁伊;R·比奇 | 申请（专利权）人： | 宜普电源转换公司 |
| 主分类号： | H03K17/06 | 分类号： | H03K17/06;H03K19/01;H02M3/07 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 吴洋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种级联自举栅极驱动器，配置成提供高侧功率开关场效应晶体管的快速导通和低静态电流消耗。初级自举级包括电阻器，以减少晶体管关断期间的静态电流消耗。次级自举级包括由初级自举级驱动的具有低导通电阻的GaN FET晶体管。GaN FET晶体管的源极端子被配置为向高侧功率开关FET提供栅极驱动电压。GaN‑FET晶体管的低导通电阻提供了高侧功率开关FET的快速导通。级联自举栅极驱动器中的晶体管优选为增强模式GaN FET，并且可以集成到单个半导体芯片中。 | ||
| 搜索关键词： | 级联 gan 功率 开关 驱动器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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