[发明专利]半导体装置制造方法在审
| 申请号： | 201980070240.X | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN112913015A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 辻直子 | 申请（专利权）人： | 株式会社大赛璐 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 杨薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供在经过其中制作有半导体元件的晶片的层叠而将半导体元件多层化的半导体装置制造方法中适于在抑制晶片层叠体的翘曲的同时将薄晶片多层化的方法。本发明的方法包括：准备工序、薄化工序、接合工序、移除工序、及多层化工序。在准备工序中，准备具有层叠结构的加强晶片，所述层叠结构包含具有元件形成面及与其相反的背面的晶片、支撑基板、以及在所述晶片的所述元件形成面侧与所述支撑基板之间的用于形成临时粘接状态的临时粘接剂层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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