[发明专利]半导体装置制造方法在审
| 申请号： | 201980070334.7 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN112912993A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 辻直子 | 申请（专利权）人： | 株式会社大赛璐 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/02;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 杨薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供在经过其中制作有半导体元件的晶片的层叠而将半导体元件多层化的半导体装置制造方法中适于在避免晶片损坏的同时经由粘接剂接合将薄晶片多层化的方法。本发明的方法包括接合工序和移除工序。在接合工序中，经由粘接剂将具有支撑基板(S)、临时粘接剂层(2)及薄化晶片(1T)的层叠结构的加强晶片(1R)中的薄化晶片(1T)的背面(1b)侧、与晶片(3)的元件形成面(3a)侧接合。用于形成临时粘接剂层(2)的临时粘接剂含有：多元乙烯基醚化合物、具有两个以上羟基或羧基从而能够与多元乙烯基醚化合物形成聚合物的化合物、以及热塑性树脂。粘接剂包含含有聚合性基团的聚有机倍半硅氧烷。在移除工序中，将支撑基板(S)与薄化晶片(1T)之间的临时粘接剂层(2)所形成的临时粘接状态解除，进行支撑基板(S)的移除。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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