[发明专利]氮化硅基板的制造方法以及氮化硅基板有效
| 申请号： | 201980070845.9 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112912356B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 本田道夫;藤永昌孝;王丸卓司;柴田耕司;山田哲夫 | 申请（专利权）人： | UBE株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/593 | 分类号： | C04B35/593;C04B35/64;H05K1/03 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
一种氮化硅基板的制造方法，其特征在于，将包含氮化硅粉末和烧结助剂的多张生片以在它们之间夹持分离材料的方式层叠并烧结后进行分离，由此得到多张氮化硅烧结体，从而由氮化硅烧结体得到氮化硅基板，分离材料包含氮化硅粉。由于得到的氮化硅基板在表面不含氮化硼粉，因此在与铜接合时的热循环性优异。分离材料的通过BET法测定的比表面积为1m |
||
| 搜索关键词： | 氮化 硅基板 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于UBE株式会社，未经UBE株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980070845.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
