[发明专利]微电子学中在低温下进行直接金属间键合的层结构有效
| 申请号： | 201980070918.4 | 申请日： | 2019-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN112956011B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | G·高;G·G·小方丹;L·W·米卡里米;R·卡特卡尔;I·莫哈梅德;C·E·尤佐 | 申请（专利权）人： | 伊文萨思粘合技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/324;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于在微电子学中在低温和较短的退火持续时间下进行直接金属间键合的层结构。示例键合界面结构能够在150℃或在150℃以下的低退火温度下以及较低的能量预算下实现互连件的直接金属间键合。示例结构为被键合的导电焊盘和过孔提供了精确的金属凹陷距离，该金属凹陷距离可以在高量产中被实现。示例结构提供了在键合界面之下的导电层的竖直堆叠，导电层的竖直堆叠的几何形状和热膨胀特征被设计为在较低的温度下、在精确的凹陷距离内使得堆叠竖直膨胀，以进行直接金属间键合。诸如表面纳米纹理和铜晶面选择的进一步增强可以以降低的退火温度和较短的退火持续时间进一步促使直接金属间键合。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子学 低温 进行 直接 金属 间键合 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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