[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201980070928.8 申请日: 2019-04-08
公开(公告)号: CN113056813A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 梅田宗一郎;久徳淳志 申请(专利权)人: 新电元工业株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/48
代理公司: 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 代理人: 郁旦蓉
地址: 日本东京都千*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及的半导体装置1包括:基板10;芯片20,形成有表面电极22;以及引线30,其具有:配置在表面电极22上并经由导电性接合材料50与芯片20的表面电极22电连接的第一电极连接部32、与布线图案11的电极部15电连接的第二电极连接部34、以及与第一电极连接部32以及第二电极连接部34连接,并且作为第一电极连接部32与第二电极连接部34之间的电流导通路的电流导通部36,其中,从平面上看,引线30进一步具有:设置在第一电极连接部32的外周中未连接电流导通部36的部分上的,将施加于设置在第一电极连接部32与表面电极22之间的导电性接合材料50上的热收缩应力均等化的热收缩应力均等化结构40。本发明的半导体装置1能够将导电性接合材料的厚度保持在固定水平上,具有高可靠性。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
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