[发明专利]固态成像装置和电子设备在审
申请号: | 201980071104.2 | 申请日: | 2019-11-07 |
公开(公告)号: | CN113039646A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 畑野启介 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 王新春;曹正建 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种可以进一步地提高连接作为固态成像装置和安装有所述固态成像装置的模块基板之间的接触点的接合部的重新布线的设计自由度的固态成像装置。本发明提供了一种包括传感器基板、电路基板、光透射基板、第一重新布线和第二重新布线的固态成像装置。所述传感器基板包括:具有作为光入射侧的第一主面和在与所述第一主面相反的一侧的第二主面的第一半导体基板,二维布置的光接收元件形成在所述第一主面上;和第一布线层,所述第一布线层形成在所述第一半导体基板的第二主面上。所述电路基板包括:具有作为光入射侧的第三主面和在与所述第三主面相反的一侧的第四主面的第二半导体基板,和第二布线层,所述第二布线层形成在所述第二半导体基板的所述第三主面上。所述光透射基板设置在所述光接收元件的上方。所述第一重新布线电连接到形成在所述第二布线层上的内部电极,并且所述第二重新布线形成在所述第二半导体基板的第四主面侧。所述传感器基板的第一布线层和所述电路基板的第二布线层接合,从而构成所述传感器基板和所述电路基板层叠的结构。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的