[发明专利]激光加工方法在审
| 申请号： | 201980071439.4 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112956001A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 坂本刚志;奥间惇治 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;B23K26/53 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;梁霄颖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种激光加工方法，具有激光照射步骤，其对于在正面侧具有功能元件层的对象物，从对象物的背面沿着线照射脉冲激光。激光照射步骤具有：第1步骤，其沿着线将第1脉冲激光照射至功能元件层，沿着线在功能元件层形成弱化区域；和第2步骤，其沿着线以相比于第1脉冲激光后行的方式，将第2脉冲激光照射至对象物的内部，沿着线在对象物形成到达正面的裂纹。第1脉冲激光的脉冲宽度比第2脉冲激光的脉冲宽度短。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 加工 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浜松光子学株式会社，未经浜松光子学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980071439.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
