[发明专利]导线构造、存储器电路系统以及形成导线构造的方法在审
| 申请号： | 201980071666.7 | 申请日： | 2019-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112930593A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 楠本健一;井内康貴;島村陽恵 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王艳娇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种形成导线构造的方法包括形成包括含多晶硅材料的结构。元素钛直接抵靠着所述含多晶硅材料的多晶硅。氮化硅直接抵靠着所述元素钛。元素钨直接抵靠着所述氮化硅。所述结构经退火以形成导线构造，其包括：所述含多晶硅材料、直接抵靠着所述含多晶硅材料的硅化钛、元素钨、所述元素钨与所述硅化钛之间的TiSi |
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| 搜索关键词： | 导线 构造 存储器 电路 系统 以及 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
