[发明专利]包含垂直晶体管的装置及相关方法在审
| 申请号： | 201980071833.8 | 申请日： | 2019-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN112997317A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | K·M·考尔道;R·甘地;李宏;刘海涛;S·D·唐;S·E·西里斯;D·V·N·拉马斯瓦米 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/423;H01L29/66;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王艳娇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种装置包括包含半导电支柱的垂直晶体管，所述半导电支柱包括源极区域、漏极区域及在所述源极区域与所述漏极区域之间垂直延伸的沟道区域。所述沟道区域包括氧化物半导体材料。所述垂直晶体管进一步包括：至少一个栅极电极，其横向邻近所述半导电支柱；栅极电介质材料，其横向介于所述半导电支柱与所述至少一个栅极电极之间；及空隙空间，其垂直邻近所述栅极电介质材料且横向介于所述至少一个栅极电极与所述半导电支柱的所述源极区域及所述漏极区域中的每一者之间。还揭示相关装置、电子系统及方法。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 垂直 晶体管 装置 相关 方法 | ||
【主权项】：
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