[发明专利]形成装置的方法以及相关装置及电子系统在审
| 申请号： | 201980072358.6 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN112997319A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | D·V·N·拉马斯瓦米 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66;H01L29/49;H01L21/768;H01L21/28;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 彭晓文 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种形成装置的方法包括在上覆于大体上不透氢气的势垒结构的导电结构上方形成牺牲支柱结构。所述牺牲支柱结构通过在正交于所述导电结构线性延伸的第二横向方向的第一横向方向上线性延伸的沟槽彼此分离。形成在所述沟槽内且横向邻近所述牺牲支柱结构的侧壁的栅极电极。移除所述牺牲支柱结构以在所述栅极电极之间形成开口。形成在所述开口内且横向邻近所述栅极电极的侧壁的电介质衬里结构。在形成所述电介质衬里结构之后在所述开口内形成沟道结构。所述沟道结构包括具有大于多晶硅的带隙的带隙的半导电材料。在所述沟道结构上形成导电接触件。还描述一种装置、一种存储器装置及一种电子系统。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 装置 方法 以及 相关 电子 系统 | ||
【主权项】：
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