[发明专利]SiC半导体衬底及其制造方法和制造装置在审
| 申请号： | 201980072577.4 | 申请日： | 2019-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN113227465A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 金子忠昭;芦田晃嗣;井原知也;堂岛大地 | 申请（专利权）人： | 学校法人关西学院;丰田通商株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B25/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 方挺;侯晓艳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明的目的是提供一种能够降低生长层中的基面位错(BPD)的密度的SiC半导体衬底及其制造方法及其制造装置。其特征在于包括：应变层去除步骤(S10)，用于去除导入到SiC衬底(10)的表面的应变层(11)；和外延生长步骤(S20)，用于在使SiC衬底(10)的平台宽度W增大的条件下进行生长。通过以这样的步骤制造SiC半导体衬底(14)，可以减少生长层(13)中的基面位错BPD，并且可以提高SiC半导体装置的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | sic 半导体 衬底 及其 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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