[发明专利]蚀刻室中的方向性沉积在审
| 申请号： | 201980072838.2 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112970096A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 谭忠魁;谢丽斯;山口叶子;石川靖;帕特里克·蓬那特;钟成珍;桑军·帕克;李源哲;崔佳英 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3065;H01L21/02;H01L21/027;H01L21/324;H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了一种用于在蚀刻应用中形成竖直生长掩模的方法。所公开的实施方案包含导入含钨沉积前体以及一或多种载气，同时点燃等离子体，以选择性地在图案化蚀刻掩模的正特征的场域上沉积钨而不实质沉积在正特征的侧壁上或在图案化蚀刻掩模下方的目标层的暴露表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 中的 方向性 沉积 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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