[发明专利]3D IC及可配置ASIC的纳米制造和设计技术在审
| 申请号： | 201980073188.3 | 申请日： | 2019-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN112970107A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 希德加塔·V·斯林瓦森;帕拉斯·阿杰伊;阿西姆·赛亚尔;马克·麦克德莫特;杰迪普·库尔卡尼 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯大学系统董事会 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L21/301;H01L21/98;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 关越 |
| 地址： | 美国德克萨*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本技术的多个实施例提供了超高密度异质集成，其通过纳米精度的取放组装实现。例如，一些实施例提供了使用预制块(PFB)的模块化组装技术的集成。这些PFB可在一个或多个源晶圆上制造。然后，可以采用取放技术将PFB选择性地布置在目标晶圆上，从而可以高效制造纳米级对准的3D堆叠集成电路(N3‑SI)和微米级模块化组装式ASIC(M2A2)。一些实施例包括采用取放组装来构建尺寸任意大于标准光刻场尺寸26×33mm的构造半导体器件的系统和技术。 | ||
| 搜索关键词： | ic 配置 asic 纳米 制造 设计 技术 | ||
【主权项】：
暂无信息
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